[发明专利]在用于CMOS器件的含锗沟道上对氧化硅和高K栅极电介质的无氧化锗的原子层沉积有效
| 申请号： | 201280056322.7 | 申请日： | 2012-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN103946963A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | M-J·布罗德斯基;M·M·乔德哈里;M·P·储德泽克;戴敏;S·A·克里什南;S·纳拉丝穆哈;S·斯蒂奎 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 边海梅 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 包括含锗衬底的一种半导体器件，其中该半导体器件包括在半导体衬底的沟道区域上的栅极结构。该栅极结构可以包括与含锗衬底的上表面直接接触的氧化硅层、与氧化硅层直接接触的至少一个高-k栅极电介质层、以及与高-k栅极电介质层直接接触的至少一个栅极导体。氧化硅层和含锗衬底的上表面之间的界面基本上不含氧化锗。源极区域和漏极区域可以存在于沟道区域的相对侧上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 cmos 器件 沟道 氧化 栅极 电介质 原子 沉积 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，包括：在从375℃到450℃范围的沉积温度下，利用原子层沉积(ALD)在含锗衬底上沉积氧化硅层，其中沉积温度使氧化锗从含锗衬底的表面挥发；在氧化硅层上形成高‑k栅极电介质层；在含锗衬底的沟道部分上形成栅极结构，其中栅极结构包括在电介质层叠的上表面上的至少一个栅极导体，该电介质层叠由高‑k栅极电介质层的一部分和氧化硅层的一部分组成；及在含锗衬底的沟道部分的相对侧上形成源极区域和漏极区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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