[发明专利]半导体装置制造方法以及半导体装置有效
| 申请号： | 201280059092.X | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103959451A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 樱井大辅;后川和也 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体芯片(1)的多个突起状电极(4)经由多个焊料部与形成在半导体基板(11)上的多个电极(13)相抵接的状态下，多个焊料部发生熔融，形成与半导体芯片(1)的多个突起状电极(4)以及半导体基板(11)的多个电极(13)相接合的多个焊料接合部(7)。接着，半导体芯片(1)的一部分与半导体基板(11)之间的间隔(A)变得比半导体芯片(1)的其它部分与半导体基板(11)之间的间隔(B)大，多个焊料接合部(7)中的至少一部分焊料接合部被拉伸。由此，多个焊料接合部(7)的高度产生偏差。接着，在多个焊料接合部(7)中的至少高度成为最大的焊料接合部(7a)内形成空孔(8)。之后，多个焊料接合部(7)凝固。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种半导体装置制造方法，该方法用于制造在半导体基板上安装具有多个突起状电极的半导体芯片而构成的半导体装置，其特征在于，包括：第一工序，该第一工序中，在所述半导体芯片的所述多个突起状电极经由多个焊料部与形成在所述半导体基板上的多个电极相抵接的状态下，使所述多个焊料部熔融，形成与所述半导体芯片的所述多个突起状电极以及所述半导体基板的所述多个电极相接合的多个焊料接合部；第二工序，该第二工序中，使所述半导体芯片的一部分与所述半导体基板之间的间隔大于所述半导体芯片的其它部分与所述半导体基板之间的间隔，将所述多个焊料接合部中的至少一部分焊料接合部拉伸，使所述多个焊料接合部的高度产生偏差；第三工序，该第三工序中，在所述多个焊料接合部中的、至少高度成为最大的焊料接合部内形成空孔；以及第四工序，该第四工序中，使所述多个焊料接合部凝固，从而使所述半导体芯片的所述多个突起状电极与所述半导体基板的所述多个电极电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
