[发明专利]高活性大晶体ZSM-5的合成有效
申请号: | 201280059159.X | 申请日: | 2012-11-27 |
公开(公告)号: | CN103958411A | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 文伊赫·法兰克·赖;梅尔奇·A·汉密尔顿 | 申请(专利权)人: | 埃克森美孚研究工程公司 |
主分类号: | C01B39/38 | 分类号: | C01B39/38;C07C6/12 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 郭国清;穆德骏 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 在模板不存在下制备高活性、大晶体ZSM-5型沸石的方法中,可以制备如下的反应混合物,其包含水、表面积小于150m2/g的二氧化硅源、氧化铝源、晶种、碱金属氧化物源M和葡萄糖酸或其盐的源Q,其中所述混合物具有≤40的SiO2/Al2O3摩尔比。可以将所述反应混合物加热到约100℃到200℃的结晶温度达足以形成ZSM-5的晶体的时间。然后可以从所述反应混合物回收ZSM-5的晶体,所述晶体可以具有≤40的SiO2/Al2O3摩尔比,并且所述晶体的大部分可以具有至少一个至少约2μm的结晶尺寸。 | ||
搜索关键词: | 活性 晶体 zsm 合成 | ||
【主权项】:
一种在模板不存在下制备高活性、大晶体ZSM‑5型沸石的方法,所述方法包括:(a)制备如下的反应混合物,其包含水、表面积小于150m2/g的二氧化硅源、氧化铝源、晶种、碱金属氧化物源M和葡萄糖酸或其盐源Q,其中所述混合物具有小于或等于40的SiO2/Al2O3摩尔比;(b)在约100℃到200℃的结晶温度下将所述反应混合物加热足以形成ZSM‑5的晶体的时间;和(c)从所述反应混合物回收SiO2/Al2O3摩尔比小于或等于40的ZSM‑5的晶体,其中所述晶体的大部分具有至少一个至少约2μm的结晶尺寸。
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