[发明专利]有机发光元件的制造方法无效

专利信息
申请号: 201280060966.3 申请日: 2012-11-28
公开(公告)号: CN103988581A 公开(公告)日: 2014-08-13
发明(设计)人: 名取伸浩;皆川春香;福地阳介 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: H05B33/10 分类号: H05B33/10;H01L51/50;H05B33/06;H05B33/26
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 段承恩;杨光军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的是提供能够从阴极高效地向有机化合物层进行电子注入,制造有机发光元件时的对有机化合物层的损害被降低了的发光效率优异的有机发光元件的制造方法。本发明的有机发光元件的制造方法,所述有机发光元件是第1基板、阳极、包含发光层的有机化合物层和光反射性的阴极依次层叠而成的,该制造方法的特征在于,形成所述阴极的工序包括:与有机化合物层邻接地形成厚度为0.1~10nm的Al薄层的Al薄层形成工序;和与Al薄层的邻接于有机化合物层的面相反的面邻接地层叠厚度为70nm~10μm的金属层的金属层层叠工序,将Al薄层形成工序在1×10-8~1×10-2Pa的真空中进行,将在Al薄层形成工序中得到的Al薄层保持在1×10-8~1×10-2Pa的真空中,直到通过金属层层叠工序与该Al薄层邻接地层叠金属层。
搜索关键词: 有机 发光 元件 制造 方法
【主权项】:
一种有机发光元件的制造方法,是第1基板、阳极、至少包含发光层的有机化合物层和光反射性的阴极依次层叠而成的有机发光元件的制造方法,形成所述光反射性的阴极的工序,包括:(ⅰ)与所述有机化合物层邻接地形成厚度为0.1~10nm的Al薄层的Al薄层形成工序;和(ⅱ)与所述Al薄层的邻接于所述有机化合物层的面相反的面邻接地层叠厚度为70nm~10μm的金属层的金属层层叠工序,将所述Al薄层形成工序在1×10‑8~1×10‑2Pa的真空中进行,将在所述Al薄层形成工序中得到的Al薄层保持在1×10‑8~1×10‑2Pa的真空中,直到通过所述金属层层叠工序与该Al薄层邻接地层叠金属层。
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