[发明专利]用于形成具有ETSOI晶体管的芯片上高质量电容器的方法和结构

摘要

ETSOI晶体管和电容器通过在替代栅极HK/MG流程中蚀刻通过ETSOI和薄BOX层，分别在其晶体管和电容器区域中形成。电容器形成与ETSOI替代栅极CMOS流程兼容。低电阻电容器电极使获得高质量电容器或变容管成为可能。通过光刻结合伴随的适当的蚀刻来实现在伪栅图案化期间没有拓扑结构。

主权项

一种形成芯片上半导体结构的方法，包括：在SOI衬底的ETSOI层(20)上形成晶体管区域中的第一伪栅(27)和电容器区域中的第二伪栅(27)，通过隔离物(30)包围所述伪栅中的每一个；在所述ETSOI层(20)上形成凸起的源极和漏极(40)，所述凸起的源极和漏极在所述隔离物处邻接；通过蚀刻从所述晶体管区域去除第一伪栅(27)以形成凹陷，通过蚀刻进行凹进以从所述电容器区域去除所述ETSOI和薄BOX，包括去除所述第二伪栅；以及在所述晶体管区域中的所述凹陷中和在所述凹进的电容器区域(65)中沉积高K电介质(85)和金属栅极(80)。