[发明专利]用于场效晶体管的自对准栅极结构无效
| 申请号： | 201280061955.7 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104025299A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 格雷戈里·迪克斯;哈罗德·克兰;罗德尼·施罗德;丹尼尔·J·格里姆 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/66;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种场效晶体管，其具有：衬底，其拥有外延层；若干基极区，其从所述外延层的顶部延伸到所述外延层中；绝缘区，其具有若干侧壁且在所述衬底的顶部上的两个基极区之间延伸；及多晶硅栅极结构，其覆盖包括所述侧壁的所述绝缘区，其中有效栅极是由在所述基极区上覆盖侧壁的多晶硅的一部分形成。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶体管 对准 栅极 结构 | ||
【主权项】：
一种用于制造场效晶体管的方法，其包含：提供堆叠，所述堆叠包含衬底及沉积在所述衬底上的外延层、在所述外延层的顶部上的多层绝缘层，及在所述绝缘层的顶部上的第一栅极层；图案化所述堆叠以提供直到所述多层绝缘层的最低层的开口；植入基极区；沉积第二栅极层，所述第二栅极层覆盖所述开口及所述第一栅极层；执行直到所述多层绝缘层的所述最低层的蚀刻，使得所述开口的各侧上的间隔件保留并且形成所述场效晶体管的相应栅极结构。
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