[发明专利]发光二极管及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201280062400.4 申请日: 2012-12-13
公开(公告)号: CN103999247B 公开(公告)日: 2017-06-23
发明(设计)人: 粟饭原范行 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;H01L33/20
代理公司: 北京市中咨律师事务所11247 代理人: 刘航,段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种以均匀的膜厚形成有保护膜及电极膜的发光二极管。这种发光二极管具备平坦部和台面型结构部,倾斜侧面采用湿式蚀刻形成,并且水平方向的截面积朝向顶面连续变小地形成,保护膜覆盖平坦部、台面型结构部的倾斜侧面、和台面型结构部的顶面的周缘区域,并且具有配置在周缘区域的内侧、且光射出孔的周围而使化合物半导体层的表面的一部分露出的通电窗,电极膜是被形成为与从通电窗露出来的层的表面接触、并且覆盖在平坦部上形成的保护膜、在顶面上具有光射出孔的连续膜,在反射层和层之间、且通电窗和被其包围的范围内具备透明导电膜。
搜索关键词: 发光二极管 及其 制造 方法
【主权项】:
一种发光二极管,是在支持基板上依次具备包含金属的反射层、和依次包含活性层和接触层的化合物半导体层,从光射出孔向外部射出光的发光二极管,其特征在于,在其上部具备平坦部和具有倾斜侧面及顶面的台面型结构部,所述平坦部和所述台面型结构部,分别至少一部分被保护膜、电极膜依次覆盖,所述台面型结构部包含至少所述活性层的一部分,所述倾斜侧面采用湿式蚀刻形成,并且水平方向的截面积朝向所述顶面连续变小地形成,所述保护膜覆盖所述平坦部的至少一部分、所述台面型结构部的所述倾斜侧面、和所述台面型结构部的所述顶面的周缘区域,并且具有配置在俯视为所述周缘区域的内侧且所述光射出孔的周围而使所述化合物半导体层的表面的一部分露出的通电窗,所述电极膜是被形成为与从所述通电窗露出来的化合物半导体层的表面接触、并且至少覆盖在所述平坦部上形成的保护膜的一部分、在所述台面型结构部的顶面上具有所述光射出孔的连续膜,在所述反射层与所述化合物半导体层之间、且俯视下所述通电窗以及被其包围的范围内具备透明导电膜。
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