[发明专利]单晶硅晶片的制造方法及电子器件有效
| 申请号： | 201280066709.0 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN104040702A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 冈铁也;江原幸治 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;H01L21/26 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 朱健 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种单晶硅晶片的制造方法，该方法通过对单晶硅晶片进行使用快速加热、快速冷却装置在含氧气氛下以第一热处理温度保持1～60秒之后，以1～100℃/秒的降温速度冷却至800℃以下的第一热处理，而使氧在内部扩散以在上述单晶硅晶片的表面附近形成氧浓度峰值区域，之后，通过进行第二热处理，而使上述单晶硅晶片内的氧凝聚于上述氧浓度峰值区域。由此，提供一种能够制造形成有靠近器件形成区域的良好的吸杂层的单晶硅晶片的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 晶片 制造 方法 电子器件 | ||
【主权项】：
一种单晶硅晶片的制造方法，其特征在于，通过对单晶硅晶片进行第一热处理，该第一热处理是使用快速加热、快速冷却装置在含氧气氛下以第一热处理温度保持1～60秒之后以1～100℃/秒的降温速度冷却至800℃以下，而使氧在内部扩散以在上述单晶硅晶片的表面附近形成氧浓度峰值区域，之后，通过进行第二热处理，而使上述单晶硅晶片内的氧凝聚在上述氧浓度峰值区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
