[发明专利]具有层叠块和公共字线的闪速NAND存储装置无效
| 申请号： | 201280067958.1 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN104067342A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 及川恒平 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;G11C5/06;G11C8/08;G11C8/12;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据一个实施例，一种半导体包括第一和第二单元块、第一字线，逻辑电路和控制电路。第一单元块被耦合在第一端子和第二端子之间。第二单元块被耦合在第三端子和第四端子之间。第一字线被耦合到第一单元块中的第一存储单元和第二单元块中的第二存储单元。逻辑电路被耦合到第二和第四端子。控制电路被配置为控制施加给第一字线的电压，以使第一单元块和第二单元块输出基于存储在第一和第二存储单元中的数据的输出电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 层叠 公共 nand 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：耦合在第一端子和第二端子之间、并且包括多个串联耦合的存储单元的第一单元块；耦合在第三端子和第四端子之间、并且包括多个串联耦合的存储单元的第二单元块；被耦合到第一存储单元和第二存储单元的第一字线，第一存储单元是第一单元块中从第一端子开始的第n个存储单元，第二存储单元是第二单元块中从第三端子开始的第n个存储单元，被耦合到第二端子和第四端子的逻辑电路；和控制电路，其被配置为控制施加给第一字线的电压，以使第一单元块和第二单元块输出基于存储在第一存储单元和第二存储单元中的数据的输出电压给逻辑电路。
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