[发明专利]包括小于沟道面积的活跃浮栅区面积的器件有效
| 申请号： | 201280068671.0 | 申请日： | 2012-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN104067392B | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | N.葛;A.L.格霍泽尔;C.S.霍;T.本杰明 | 申请（专利权）人： | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;胡莉莉 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种包括漏极、沟道、浮栅和控制栅的器件。沟道围绕漏极并且具有沟道面积。浮栅包括具有活跃浮栅区面积的活跃浮栅区。控制栅经由控制电容耦合到活跃浮栅区，其中活跃浮栅区面积小于沟道面积。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 小于 沟道 面积 活跃 浮栅区 器件 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：漏极；沟道，其围绕漏极并且具有沟道面积；浮栅，其包括具有活跃浮栅区面积的活跃浮栅区；以及控制栅，其经由控制电容耦合到活跃浮栅区，其中活跃浮栅区面积小于沟道面积;其中所述控制栅被安置在所述浮栅之上；其中所述活跃浮栅区指的是连接到浮栅的引线的浮栅部分。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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