[发明专利]侧排型基板处理装置有效
申请号: | 201280068840.0 | 申请日: | 2012-11-23 |
公开(公告)号: | CN104105813B | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | 梁日光;宋炳奎;金劲勋;申良湜 | 申请(专利权)人: | 株式会社EUGENE科技 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00;C23C16/455;H01L21/205 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 王小东 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 根据本发明的一个实施方式,一种基板处理装置包括:腔室本体,该腔室本体的上部打开,并且在该腔室本体中提供一内部空间,在该内部空间中对于基板进行处理;腔室盖,该腔室盖安装在腔室本体上并且用于关闭该腔室本体的上部;以及喷洒头,该喷洒头安装在腔室盖的下方并且用于朝向该内部空间供应处理气体,其中所述腔室本体包括:至少一个会聚口,该会聚口沿着侧壁布置中内部上并且用于会聚内部空间内的气体;多个内部排气孔,这多个内部排气孔形成在所述侧壁上并且用于允许所述会聚口及所述内部空间之间的连通;以及多个内部排气口,这多个内部排气口连接至所述会聚口。 | ||
搜索关键词: | 侧排型基板 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,该基板处理装置包括:腔室本体,该腔室本体具有打开的上侧,该腔室本体提供一内部空间,在该内部空间中对于基板进行处理;腔室盖,该腔室盖布置在所述腔室本体的上部,以关闭所述腔室本体的所述打开的上侧;以及喷洒头,该喷洒头布置在所述腔室盖的下部,以朝向所述内部空间供应处理气体,其中,所述腔室本体包括:至少一个会聚口,该会聚口沿着所述腔室本体的侧壁的内侧布置,以允许所述内部空间内的处理气体会聚;多个内部排气孔,这多个内部排气孔沿着所述腔室本体的所述侧壁限定,以与所述会聚口及所述内部空间连通;以及多个内部排气口,这多个内部排气口连接至所述会聚口,其中,根据与所述内部排气口的相隔距离,所述内部排气孔具有彼此不同的直径;该基板处理装置还包括布置于所述会聚口上的分配环,该分配环具有多个分配孔;并且所述分配孔分别布置在所述内部排气孔之间。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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