[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201280069809.9 | 申请日： | 2012-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN104115275B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 辻内幹夫;新田哲也 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在重视电流的IGBT中，集电极用导电层(PR1)针对集电极区域(CR)中包含的1个集电极用活性区域(CRa)通过多个接触进行连接。针对1个集电极用活性区域(CRa)的集电极用导电层(PR1)的接触部的个数多于针对基极区域(BR、BCR)中包含的1个基极用活性区域(BCR)的发射极用导电层(PR2)的接触部的个数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：半导体基板(SUB)，具有主表面；以及绝缘栅极双极型晶体管，形成于所述主表面，所述绝缘栅极双极型晶体管包括：第1导电类型的集电极区域(CR)，形成于所述主表面；第1导电类型的基极区域(BR、BCR)，与所述集电极区域(CR)分开地形成于所述主表面；以及第2导电类型的发射极区域(ER)，形成于所述基极区域(BR、BCR)内的所述主表面，所述半导体装置还具备：发射极用导电层(PR2)，与所述绝缘栅极双极型晶体管的所述基极区域(BR、BCR)以及所述发射极区域(ER)这两者连接，并且在与所述基极区域(BR、BCR)以及所述发射极区域(ER)这两者之间构成发射极连接部；以及集电极用导电层(PR1)，与所述绝缘栅极双极型晶体管的所述集电极区域(CR)连接，并且在与所述集电极区域(CR)之间构成集电极连接部，所述集电极用导电层(PR1)通过多个接触部对所述集电极区域(CR)中包含的1个集电极用活性区域(CRa)进行连接，针对1个所述集电极用活性区域(CRa)的所述集电极用导电层(PR1)的所述接触部的个数多于针对所述基极区域(BR、BCR)中包含的1个基极用活性区域(BCR)的所述发射极用导电层(PR2)的接触部的个数，所述基极区域(BR、BCR)和所述发射极用导电层(PR2)的所述发射极连接部的面积(SB11)相对所述基极区域(BR、BCR)的所述主表面中的面积(SA11)之比(SB11/SA11)大于所述集电极区域(CR)和所述集电极用导电层(PR1)的所述集电极连接部的面积(SB12)相对所述集电极区域(CR)的所述主表面中的面积(SA12)之比(SB12/SA12)。
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