[发明专利]半导体装置

摘要

本发明目的在于提供一种不会使半导体元件的特性恶化而能够减小芯片面积、提高耐压特性能力以及截止断开能力的技术。半导体装置具备半导体基板(1)，其划分出活性区域(11)和终端区域(51)；半导体元件(14)，其形成在活性区域中；第1至第4个P层(38‑1～38‑4)，它们形成在活性区域的端部和终端区域之间的半导体基板的表面内。第1至第4个P层(38‑1～38‑4)的表面浓度(P(1)～P(4))按照该顺序依次减小，下端距离(D(1)～D(4))按照该顺序依次增大，至半导体基板端侧的端末为止的距离(B(1)～B(4))按照该顺序依次增大。表面浓度(P(4))是半导体基板的杂质浓度的10～1000倍，下端距离(D(4))是15～30μm。

主权项

一种半导体装置，其具备：第1导电型的半导体基板(1)，其划分出活性区域(11)和终端区域(51)，该终端区域(51)与该活性区域隔离而包围该活性区域的外侧；半导体元件(14)，其形成在所述活性区域中；以及第2导电型的多个杂质层(38‑1、38‑2、38‑3、38‑4)，它们至少部分重叠地形成在所述活性区域的端部和所述终端区域之间的所述半导体基板的表面内，对于所述多个杂质层中任意相邻的2个第i杂质层以及第i+1杂质层，在将所述第i杂质层以及第i+1杂质层的所述半导体基板表面处的所述第2导电型的杂质浓度即表面浓度分别设为P(i)、P(i+1)，将从所述半导体基板表面至所述第i杂质层以及第i+1杂质层的下端为止的距离即下端距离分别设为D(i)、D(i+1)，将从所述终端区域的所述活性区域侧的端末至所述第i杂质层以及第i+1杂质层的所述终端区域侧的端末为止的距离分别设为B(i)、B(i+1)的情况下，满足P(i)＞P(i+1)、D(i)＜D(i+1)、B(i)＜B(i+1)，所述多个杂质层中所述下端距离最大的杂质层(38‑4)的所述表面浓度是所述半导体基板的所述第1导电型的杂质浓度的10～1000倍，该杂质层(38‑4)的所述下端距离是15～30μm。