[发明专利]真空吸附台、半导体晶片的切割方法以及退火方法无效
| 申请号： | 201280071368.6 | 申请日： | 2012-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN104170063A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 松村民雄 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;H01L21/02;H01L21/265;H01L21/268;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种在切割时抑制切割胶带的破损的真空吸附台以及利用它的半导体晶片的切割方法。并且，目的还在于提供一种利用该真空吸附台的半导体晶片的退火方法，其中，该真空吸附台抑制磨削保护胶带的发泡。本发明的真空吸附台具有载置半导体晶片(6)的载置面(1a)，在载置面(1a)中，仅在半导体晶片(6)的芯片区域(6a)的外周形成真空吸附孔(2)。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 吸附 半导体 晶片 切割 方法 以及 退火 | ||
【主权项】：
一种真空吸附台(1、21、31)，其具有载置半导体晶片(6、20、56)的载置面(1a、21a、21b、31a)，在所述载置面(1a、21a、21b、31a)上，仅在所述半导体晶片(6、20、56)的芯片区域(6a)的外周形成真空吸附孔(2、22、32)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
