[发明专利]半导体装置

摘要

终端区域具有环状区域(LNFLR)。在环状区域(LNFLR)，周期性地并排设置有环状的多个P型环层(12a～12f)。环状区域(LNFLR)被分为分别包含多个P型环层(12a～12f)的多个单元。各单元的宽度是固定的。将环状区域内的P型杂质总数设为N、目标耐压设为BV[V]、各单元的宽度设为SandL[μm]、多个单元的数量设为num，并满足下述关系。N≧(M×BV)^γ，M＝10⁴～10⁵，γ＝0.55～1.95，SandL×num×Ecri≧2×α×BV，Ecri＝2.0～3.0×10⁵[V/cm]，α＝10⁰～10¹。多个单元的P型环层(12a～12f)的宽度朝向终端区域的外侧线性地变小。

主权项

一种半导体装置，该半导体装置具有大于或等于目标耐压的耐压，在硅衬底设置形成有晶体管的激活区域、和配置在所述激活区域的周围的终端区域，该半导体装置的特征在于，所述终端区域具有环状区域，在所述环状区域，周期性地并排设置环状的多个P型环层，所述环状区域被分为分别包含所述多个P型环层的多个单元，各单元的宽度是固定的，将所述环状区域内的P型杂质总数设为N、所述目标耐压设为BV[V]、各单元的宽度设为SandL[μm]、所述多个单元的数量设为num，并满足下述关系，N≥(M×BV)^γ、M＝10⁴～10⁵、γ＝0.55～1.95SandL×num×Ecri≥2×α×BVEcri＝2.0～3.0×10⁵[V/cm]、α＝10⁰～10¹所述多个单元的所述P型环层的宽度朝向所述终端区域的外侧线性地变小。