[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201310001570.8 | 申请日： | 2013-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN103219364A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 高野和丰 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L21/265 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能在不发生耐压下降或导通电阻增大的情况下提高雪崩耐量的半导体装置及其制造方法。在单元区域，在N－型漏极层（2）上设置有P－型基极层（5）。在中间区域，在N－型漏极层（2）上设置有（P）型基极层（6）。在P－型基极层（5）内设置有N+型源极区域（7）。栅极电极（8）隔着栅极绝缘膜（9）设置在被N－型漏极层（2）和N+型源极区域（7）夹持的沟道区域上。源极电极（10）连接于P－型基极层（5）和P型基极层（6）。栅极焊盘（11）在焊盘区域隔着绝缘膜（12）设置在N－型漏极层（2）上，与栅极电极（8）连接。P型基极层（6）的栅极焊盘（11）侧是杂质浓度梯度比P－型基极层（5）平缓的VLD（VariationLateralDoping）结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：第一导电型的半导体层，设置在半导体衬底的单元区域、焊盘区域以及所述单元区域和所述焊盘区域之间的中间区域；第二导电型的第一基极层，在所述单元区域设置在所述半导体层上；第二导电型的第二基极层，在所述中间区域设置在所述半导体层上；第一导电型的导电区域，设置在所述第一基极层内；栅极电极，隔着栅极绝缘膜设置在被所述导电区域和所述半导体层夹持的沟道区域上；第一电极，与所述第一以及第二基极层连接；第二电极，与所述半导体层的下表面连接；以及栅极焊盘，在所述焊盘区域隔着绝缘膜设置在所述半导体层上并且与所述栅极电极连接，所述第二基极层的所述栅极焊盘侧是杂质浓度梯度比所述第一基极层平缓的VLD结构。
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