[发明专利]用于SRAM电路的结构和方法有效
| 申请号： | 201310002598.3 | 申请日： | 2013-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN103310834A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供在半导体衬底中形成的集成电路。集成电路包括：具有第一单元尺寸的第一静态随机存取存储器(SRAM)单元；以及具有大于第一单元尺寸的第二单元尺寸的第二SRAM单元。第一SRMA单元包括第一n型场效应晶体管(nFET)，每一个都具有第一栅叠层。第二SRAM单元包括第二nFET，每一个都具有不同于第一栅叠层的第二栅叠层。本发明还提供了用于SRAM电路的结构和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 sram 电路 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种在半导体衬底中形成的集成电路，包括：第一静态随机存取存储器(SRAM)单元，具有第一单元尺寸；以及第二SRAM单元，具有第二单元尺寸，所述第二单元尺寸大于所述第一单元尺寸，其中：所述第一SRAM单元包括每一个均具有第一栅叠层的第一n型场效应晶体管(nFET)，以及所述第二SRAM单元包括每一个均具有第二栅叠层的第二nFET，所述第二栅叠层不同于所述第一栅叠层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310002598.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
