[发明专利]CMOS器件及其形成方法

摘要

公开一种半导体器件和制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括具有第一区域和第二区域的衬底。该半导体器件还包括在位于第一区域中的衬底上方以及第一隔离区域与第二隔离区域之间形成的第一缓冲层，以及在位于第二区域中的衬底上方以及第一隔离区域与第二隔离区域之间形成的第二缓冲层。该半导体器件还包括在位于第一区域中的第一缓冲层上方以及第一隔离区域与第二隔离区域之间形成的第一鳍结构，以及在位于第二区域中的第二缓冲层上方以及第一隔离区域与第二隔离区域之间形成的第二鳍结构。第一缓冲层的顶面不同于第二缓冲层的顶面。本发明提供了CMOS器件及其形成方法。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，包括第一区域和第二区域；第一缓冲层，形成在位于所述第一区域中的所述衬底上方和第一隔离部件与第二隔离部件之间；第二缓冲层，形成在位于所述第二区域中的所述衬底上方和第一隔离部件与第二隔离部件之间；第一鳍结构，形成在位于所述第一区域中的所述第一缓冲层上方和所述第一隔离部件与所述第二隔离部件之间；以及第二鳍结构，形成在位于所述第二区域中的所述第二缓冲层上方和所述第一隔离部件与所述第二隔离部件之间，其中，所述第一缓冲层的顶面不同于所述第二缓冲层的顶面。