[发明专利]二晶体管快闪存储器及二晶体管快闪存储器的编程方法有效
| 申请号： | 201310003599.X | 申请日： | 2013-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN103198863B | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 全昌愍;朴元虎;金丙浩 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张泓 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种二晶体管快闪存储器和二晶体管快闪存储器的编程方法。二晶体管快闪存储器包括存储单元阵列、行驱动器、读/写电路、产生高压的充电泵和被配置为将高压传递给行驱动器、读/写电路和存储单元阵列的控制逻辑。如果编程，则行驱动器和读/写电路施加电压以使得在与选择的存储单元不同行上的未选择的存储单元中的单元晶体管的控制栅极浮置。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 闪存 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二晶体管快闪存储器，包括：存储单元阵列，包括多个存储单元，每个存储单元具有串联连接的(1)单元晶体管和(2)选择晶体管；行驱动器，经由全局控制线和字节选择晶体管连接至同一行上的存储单元的单元晶体管，该行驱动器经由字线连接至同一行上的存储单元的选择晶体管；读/写电路，经由全局位线和扇区选择晶体管连接至同一列上的多个存储单元中的每个，该读/写电路被配置为经由字节控制线来控制字节选择晶体管；充电泵，被配置为产生正高压；以及控制逻辑，被配置为将正高压传递给行驱动器、读/写电路和存储单元阵列，其中，如果编程，则行驱动器和读/写电路被配置为施加电压以使得在与选择的存储单元不同行上的未选择的存储单元中的单元晶体管的控制栅极被浮置，并且如果编程，则行驱动器和读/写电路被配置为向与在与选择的存储单元不同行上的未选择的存储单元对应的全局控制线和选择的字节控制线施加相同电压以使得未选择的存储单元中的单元晶体管的控制栅极被浮置。
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