[发明专利]一种用于碳化硅晶体生长的碳化硅微粉的制备方法有效
| 申请号： | 201310003974.0 | 申请日： | 2013-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN103058192A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 高宇;陶莹;邓树军;段聪;赵梅玉 | 申请（专利权）人： | 保定科瑞晶体有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 071051 河北省保定市北二*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于碳化硅晶体生长的碳化硅微粉的制备方法，包括以下步骤：将碳粉和硅粉的均匀混合，得到混合物；再将所述混合物加入到加热室中，通过微波对所述混合物进行加热，即可得所述用于碳化硅晶体生长的碳化硅微粉。本发明采用微波加热，加热均匀，合成的碳化硅颗粒粒径均一性好，得到的产品不需要使用传统球磨机破碎，无二次沾污，保证产品纯度，同时单次合成量大，效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 碳化硅 晶体生长 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于碳化硅晶体生长的碳化硅微粉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将碳粉和硅粉的均匀混合，得到混合物；（2）将所述混合物加入到加热室中，通过微波对所述混合物进行加热，即可得所述用于碳化硅晶体生长的碳化硅微粉。
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