[发明专利]一种太阳光谱选择性吸收膜及其生产方法无效
申请号: | 201310004316.3 | 申请日: | 2013-01-07 |
公开(公告)号: | CN103148619A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 刘小军 | 申请(专利权)人: | 湖南兴业太阳能科技有限公司 |
主分类号: | F24J2/48 | 分类号: | F24J2/48;B32B15/20;B32B15/00;B32B9/04;C23C14/34;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/06 |
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地址: | 411201 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳光谱选择性吸收膜及其生产方法,包括一个覆膜基体,在覆膜基体表面从内到外依次覆盖红外反射层、中间介质层、半透明金属层、表面介质层,所述的覆膜基体为金属或合金,所述的红外反射层是包含铝或铜的涂层,所述的中间介质层和表面介质层为含氮化硅或氮氧化硅的涂层,所述的半透明金属层为含铬的涂层。本发明具有如下的技术效果,太阳光谱选择性吸收膜的太阳能吸收率高,发射率低,膜颜色可根据需要进行调节,能使太阳能热水系统与建筑物在色调上协调一致。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳 光谱 选择性 吸收 及其 生产 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳光谱选择性吸收膜,包括一个覆膜基体(1),在覆膜基体(1)表面从内到外依次覆盖红外反射层(2)、中间介质层(3)、半透明金属层(4)、表面介质层(5),其特征在于:所述的覆膜基体(1)为金属或合金,所述的红外反射层(2)是包含铝或铜的涂层,所述的中间介质层(3)和表面介质层(5)为含氮化硅或氮氧化硅的涂层,所述的半透明金属层(4)为含铬的涂层。
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