[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括半导体层，位于所述半导体层表面的鳍部结构，位于所述鳍部结构一侧侧壁表面的主栅结构，位于所述鳍部结构另一侧侧壁表面的应力材料层，位于所述应力材料层侧壁表面的背栅结构，所述应力材料层位于鳍部结构和背栅结构之间。由于所述半导体结构具有双栅结构，靠近主栅结构的鳍部结构侧壁形成沟道区，且所述应力材料层位于鳍部结构和背栅结构之间，利用所述应力材料层可以为沟道区提供大小均匀的应力作用，从而有利于提高沟道区的载流子迁移率。且所述应力材料层与主栅结构之间具有鳍部结构，使得所述应力材料层对主栅结构的栅介质层的应力作用较小，不会影响栅介质层的电学性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体层，对所述半导体层进行刻蚀，形成第一开口；在所述第一开口内填充满应力材料；对所述应力材料进行刻蚀，形成第二开口，所述第二开口的宽度小于第一开口的宽度，在第二开口侧壁形成应力材料层；对所述半导体层进行刻蚀，在所述应力材料层的一侧侧壁表面形成鳍部结构；在所述鳍部结构侧壁表面形成主栅结构，在所述应力材料层的侧壁表面形成背栅结构。