[发明专利]像素结构及像素阵列基板有效
申请号: | 201310012752.5 | 申请日: | 2013-01-14 |
公开(公告)号: | CN103926760B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 刘轩辰;张宪政;唐大庆;吴建豪;王景昭;林荣震 | 申请(专利权)人: | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种像素结构,包括基板、设置于基板上的薄膜晶体管、覆盖于薄膜晶体管与基板上的第一绝缘层、共用电极、连接电极、第二绝缘层以及像素电极。薄膜晶体管包含有一漏极。第一绝缘层具有一第一开口,曝露出漏极。共用电极与连接电极设置于第一绝缘层上。连接电极延伸至第一开口内与漏极电性连接,且连接电极与共用电极电性绝缘。第二绝缘层覆盖于第一绝缘层、连接电极与共用电极上,且具有一第二开口,曝露出连接电极。像素电极设置于第二绝缘层上,并通过第二开口与连接电极电性连接。借此,可有效地提升像素结构的开口率。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 阵列 | ||
【主权项】:
一种像素结构,其特征在于,包括:一基板;一薄膜晶体管,设置于所述基板上,且所述薄膜晶体管包含有一栅极、一源极以及一漏极;一数据线与一扫描线,设置于所述基板上,且彼此交错;一第一绝缘层,覆盖于所述薄膜晶体管、所述数据线与所述基板上,且所述第一绝缘层具有一第一开口,曝露出所述漏极;一透明导电图案层,设置于所述第一绝缘层上,且所述透明导电图案层包括:一共用电极;以及一连接电极,延伸至所述第一开口内与所述漏极电性连接,且所述连接电极与所述共用电极电性绝缘;一第二绝缘层,覆盖于所述第一绝缘层与所述透明导电图案层上,且所述第二绝缘层具有一第二开口,曝露出所述连接电极;以及一像素电极,设置于所述第二绝缘层上,并通过所述第二开口与所述连接电极电性连接;其中,所述数据线与所述扫描线分别形成于不同金属层,所述漏极、所述第一开口、所述连接电极、所述第二开口与所述像素电极构成一连接结构。
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