[发明专利]像素结构及像素阵列基板有效

专利信息
申请号: 201310012752.5 申请日: 2013-01-14
公开(公告)号: CN103926760B 公开(公告)日: 2017-08-25
发明(设计)人: 刘轩辰;张宪政;唐大庆;吴建豪;王景昭;林荣震 申请(专利权)人: 瀚宇彩晶股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司44223 代理人: 江耀纯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种像素结构,包括基板、设置于基板上的薄膜晶体管、覆盖于薄膜晶体管与基板上的第一绝缘层、共用电极、连接电极、第二绝缘层以及像素电极。薄膜晶体管包含有一漏极。第一绝缘层具有一第一开口,曝露出漏极。共用电极与连接电极设置于第一绝缘层上。连接电极延伸至第一开口内与漏极电性连接,且连接电极与共用电极电性绝缘。第二绝缘层覆盖于第一绝缘层、连接电极与共用电极上,且具有一第二开口,曝露出连接电极。像素电极设置于第二绝缘层上,并通过第二开口与连接电极电性连接。借此,可有效地提升像素结构的开口率。
搜索关键词: 像素 结构 阵列
【主权项】:
一种像素结构,其特征在于,包括:一基板;一薄膜晶体管,设置于所述基板上,且所述薄膜晶体管包含有一栅极、一源极以及一漏极;一数据线与一扫描线,设置于所述基板上,且彼此交错;一第一绝缘层,覆盖于所述薄膜晶体管、所述数据线与所述基板上,且所述第一绝缘层具有一第一开口,曝露出所述漏极;一透明导电图案层,设置于所述第一绝缘层上,且所述透明导电图案层包括:一共用电极;以及一连接电极,延伸至所述第一开口内与所述漏极电性连接,且所述连接电极与所述共用电极电性绝缘;一第二绝缘层,覆盖于所述第一绝缘层与所述透明导电图案层上,且所述第二绝缘层具有一第二开口,曝露出所述连接电极;以及一像素电极,设置于所述第二绝缘层上,并通过所述第二开口与所述连接电极电性连接;其中,所述数据线与所述扫描线分别形成于不同金属层,所述漏极、所述第一开口、所述连接电极、所述第二开口与所述像素电极构成一连接结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瀚宇彩晶股份有限公司,未经瀚宇彩晶股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310012752.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top