[发明专利]搭载半导体元件的基板有效
| 申请号： | 201310018374.1 | 申请日： | 2009-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN103094133A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 杉野光生;原英贵;和布浦徹 | 申请（专利权）人： | 住友电木株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/58 | 分类号： | H01L21/58;H01L21/56 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张永康;向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 搭载半导体元件的基板（10），具有：芯基板（1）、搭载于芯基板（1）的一个面的半导体元件（2）、粘接芯基板（1）和半导体元件（2）的粘接膜（3）、嵌入半导体元件（2）的第一层（4）、设置于芯基板（1）的第一层（4）相反侧的与第一层（4）的材料及组成比率相同的第二层（5）、设置于第一层（4）和第二层（5）的至少一层的表层（6），并且粘接膜（3）25℃时的储能模量是5～1000MPa，表层（6）在玻璃化转变点Tga℃以下按照JISC6481进行检测的面方向上的热膨胀系数是40ppm/℃以下，该玻璃化转变点Tga℃是在20℃以上且按照JIS C6481进行检测的表层的玻璃化转变点Tga℃。 | ||
| 搜索关键词： | 搭载 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种搭载半导体元件的基板的制造方法，其是具有搭载于基板的一个面上的半导体元件的搭载半导体元件的基板的制造方法，其特征在于，具有下述工序：在上述基板的上述一个面上形成粘接剂层的工序；在上述粘接剂层上搭载上述半导体元件的工序；在上述基板的上述一个面上设置第一绝缘片以填埋上述粘接剂层和上述半导体元件，并且在上述基板的另一个面上设置第二绝缘片的工序；固化上述第一绝缘片和上述第二绝缘片的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
