[发明专利]一种低毒性热敏量子点材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201310020598.6 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103074058A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 解仁国;魏爽;张卓磊;李冬泽;杨文胜 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C09K11/70 | 分类号： | C09K11/70;C09K11/02 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明的一种低毒性热敏量子点材料及其制备方法属于半导体纳米材料制备技术领域。本发明以Cu掺杂的InP量子点为核，先包覆半导体材料ZnS隔离层，隔绝内外两层材料，再包覆半导体材料InP纳米晶壳层，最外层包覆ZnS保护层，最终形成结构为Cu@InP/ZnS/CdSe/ZnS的量子点。本发明的量子点对温度高度敏感，在常温下发绿光，在200℃时发红光，在中间温度时发不同程度的黄光，该量子点性质稳定，尺寸均一，分散性好，壳层包覆后粒子呈完美球形；由于本发明制备的是一种非镉的半导体材料，具有低毒性的优点，符合绿色化学的合成理念，对环境友好，应用性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 毒性 热敏 量子 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低毒性热敏量子点材料，其结构有InP量子点核、ZnS隔离层、InP纳米晶壳层和ZnS保护层；所述的InP量子点核是荧光峰位为650nm～800nm的Cu掺杂的InP量子点，Cu掺杂量为按摩尔比Cu:P=1:5～20；所述的InP纳米晶壳层是2～4层InP。
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