[发明专利]有机氧化镍电阻存储器薄膜的制备及其电学性能测试方法

摘要

本发明公开了一种有机氧化镍电阻存储器薄膜制备方法，采用浸渍提拉法，使用提拉机将有机氧化镍溶胶在超导电极基板上进行薄膜提拉后在室温下干燥，然后对其进行顶电极的溅射，即得到有机氧化镍电阻存储器薄膜；本发明还公开了采用上述制备方法制备的有机氧化镍电阻存储器薄膜电学性能测试方法，将有机氧化镍电阻存储器薄膜采用四根引线法进行连接，用金属铟将引线与测试点进行连接，然后将其固定在样品台上后放入材料综合物性测量仪中进行伏安特性曲线测试并进行疲劳测试。本发明有机氧化镍电阻存储器薄膜制备方法薄膜的制备效率较高、工艺简单、操作方便、成本低；其电学性能的测试方法温度控制准确、操作简单。

主权项

有机氧化镍电阻存储器薄膜制备方法，其特征在于，采用浸渍提拉法，使用提拉机将有机氧化镍溶胶在超导电极基板上进行薄膜提拉后干燥，然后对其进行顶电极的溅射，即得到有机氧化镍电阻存储器薄膜。