[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 201310022707.8 | 申请日： | 2013-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103426460B | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 李昇铉 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 顾红霞,何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体存储器件。所述半导体存储器件包括存储单元单位，其包括多个存储单元，所述多个存储单元连接在多个字线和多个位线之间并且构造成响应于受激发的字线而提供读出值；基准值生成单位，其包括多个基准值生成单元，所述多个基准值生成单元连接在所述多个字线和基准位线之间并且构造成响应于受激发的字线而提供单个基准值；以及读出电路，其构造成基于所述单个基准值和所述读出值提供读出输出信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：存储单元单位，其包括多个存储单元，所述多个存储单元连接于并设置在多个字线和多个位线之间并且构造成响应于受激发的字线而提供读出值；基准值生成单位，其包括多个基准值生成单元，所述多个基准值生成单元连接于并设置在所述多个字线和单个基准位线之间并且构造成响应于受激发的字线而提供单个基准值，所述单个基准值与确定所述读出值的逻辑状态的中间值相对应；以及读出电路，其构造成基于所述单个基准值和所述读出值提供读出输出信号，其中，所述多个基准值生成单元的尺寸不同于所述多个存储单元的尺寸。
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