[发明专利]半导体测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 201310024105.6 | 申请日： | 2013-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103941171B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩;冯军宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体测试结构及测试方法，所述半导体测试结构包括第一测试端、第二测试端和呈矩阵排列的若干MOS晶体管，所述MOS晶体管的源极、漏极、衬底接地，所述MOS晶体管包括第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，位于所述矩阵中间位置的第一MOS晶体管的栅极与第一测试端相连接，位于所述矩阵边缘位置的第二MOS晶体管的栅极与第二测试端相连接。通过分别在第一测试端和第二测试端上施加测试信号，分别对处于矩阵中间位置的第一MOS晶体管和处于矩阵边缘位置的第二MOS晶体管进行测试，有利于评估栅介质层的质量，有利于提高测试结果的精确性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体测试结构，其特征在于，包括：第一测试端、第二测试端和呈矩阵排列的若干MOS晶体管，所述MOS晶体管的源极、漏极、衬底接地，所述MOS晶体管包括第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，位于所述矩阵中间位置的第一MOS晶体管的栅极与第一测试端相连接，位于所述矩阵边缘位置的第二MOS晶体管的栅极与第二测试端相连接。
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