[发明专利]层叠封装结构中的无源器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201310024884.X | 申请日： | 2013-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN103681561A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 陈志华;陈承先 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56;H01L25/00;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了层叠封装结构中的无源器件及其形成方法，其中该器件包括聚合物。器件管芯设置在聚合物中。无源器件包括穿透聚合物的三个组件通孔(TAV)，其中TAV串联连接。再分布线(RDL)位于聚合物下方。RDL将TAV中的第一个电连接至TAV中的第二个。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠 封装 结构 中的 无源 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：聚合物；器件管芯，位于所述聚合物中；以及无源器件，包括：三个组件通孔(TAV)，穿透所述聚合物，所述三个TAV串联连接；以及第一再分布线(RDL)，位于所述聚合物下方，所述第一RDL将所述三个TAV中的第一个TAV与所述三个TAV中的第二个TAV电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310024884.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电子装置和制造电子装置的方法
- 下一篇：半导体结构
