[发明专利]掺杂剂含量低的多晶硅块材有效
| 申请号： | 201310027483.X | 申请日： | 2013-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN103213988A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | H·沃赫纳;A·基林格;R·佩赫 | 申请（专利权）人： | 瓦克化学股份公司 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02;C30B29/06;G01N33/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 李振东;过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及掺杂剂含量低的多晶硅块材，其中在表面上，硼的浓度为1至50ppta，磷的浓度为1至50ppta。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 含量 多晶 硅块材 | ||
【主权项】：
多晶硅块材，其中在表面上，硼的浓度为1至50ppta，磷的浓度为1至50ppta。
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