[发明专利]NAND闪存的镶嵌结构的制造方法

摘要

本发明公开了一种NAND闪存的镶嵌结构的制造方法。在衬底中的第一介电层及NAND串间的接触窗插塞上先依序形成终止层及第二介电层。在第二介电层上依序形成具有对应接触窗插塞的至少一第一开口的图案化终止层和第三介电层。在第三介电层上形成具有对应第一开口的至少一第二开口的图案化掩膜层，并以图案化掩膜层为掩膜，移除对应第二开口的第三介电层及对应第一开口的第二介电层，以形成沟槽及介层窗，并暴露出接触窗插塞。然后在沟槽及介层窗内形成与接触窗插塞接触的导体层。

主权项

一种NAND闪存的镶嵌结构的制造方法，包括：提供一衬底，具有一存储单元阵列，该存储单元阵列包括沿一方向配置的多个NAND串，其中在该方向上，各该NAND串包括多个字线及位于该多个字线下方的多个浮置栅极，以及位在该多个字线的两端的两个选择晶体管；于该衬底上形成一第一介电层，该第一介电层覆盖该存储单元阵列；于邻近的各该NAND串之间形成接触该衬底的至少一接触窗插塞；于该第一介电层及该接触窗插塞上形成一终止层；于该终止层上形成一第二介电层；于该第二介电层上形成一图案化终止层，该图案化终止层具有对应该接触窗插塞的至少一第一开口并露出该第二介电层；于该图案化终止层上及该第一开口中形成一第三介电层；于该第三介电层上形成一图案化掩膜层，具有对应该第一开口的至少一第二开口，该第二开口沿该方向延伸并露出该第三介电层；以该图案化掩膜层为掩膜，移除自该第二开口露出的该第三介电层而形成一沟槽，并继续移除自该第一开口露出的该第二介电层而形成一介层窗并露出该终止层；移除露出的该终止层，使该接触窗插塞暴露出来；以及在该沟槽及该介层窗内形成一导体层，该导体层与该接触窗插塞接触。