[发明专利]阵列基板及其制作方法及液晶显示装置有效
申请号: | 201310030582.3 | 申请日: | 2013-01-25 |
公开(公告)号: | CN103969902B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 许睿 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1368;G02F1/1362;H01L27/12 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 | 代理人: | 武晨燕,张颖玲 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种阵列基板及其制作方法及液晶显示装置,本发明的阵列基板包括栅线、数据线、以及由栅线和数据线交叉形成的像素单元,所述像素单元内形成第一薄膜晶体管和像素电极,所述像素电极具有狭缝结构,其特征在于,所述阵列基板还包括第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管包括第一公共电极和第二公共电极,且所述第二薄膜晶体管设置为当数据线信号为高电平时开启,并将第一公共电极的信号传输至第二公共电极。本发明的阵列基板在现有设计的基础上增加另外的薄膜晶体管设计,使公共电极电压平稳的输出,从而提高显示屏的整体显示效果。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 液晶 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括:栅线、数据线、以及由栅线和数据线交叉形成的像素单元,所述像素单元内形成第一薄膜晶体管和像素电极,所述像素电极具有狭缝结构,其特征在于,所述阵列基板还包括第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管包括第一公共电极和第二公共电极,且所述第二薄膜晶体管设置为当数据线信号为高电平时开启,并将第一公共电极的信号传输至第二公共电极;其中,所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管形成于所述像素单元内;所述第二薄膜晶体管的栅极与所述数据线同层,且连接;所述第一公共电极和所述第二公共电极分别形成所述第二薄膜晶体管的源极和漏极。
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