[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310031224.4 | 申请日： | 2013-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN103972090B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 邓坚;罗军;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在包含硅元素的衬底上形成栅极堆叠结构；在衬底中形成富镍相硅化物；执行离子注入，向富镍相硅化物中注入掺杂离子；执行驱动退火，使得富镍相硅化物转变为镍基金属硅化物以用作源漏区，并使得镍基金属硅化物与衬底界面处形成介质层。依照本发明的半导体器件及其制造方法，通过向富镍相金属硅化物中注入掺杂离子后再退火，在将富镍相金属硅化物转变为低电阻镍基硅化物的同时还在硅化物与衬底之间形成了超薄介质层，从而有效降低了肖特基势垒高度，提高了器件的驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：在包含硅元素的衬底上形成栅极堆叠结构；在衬底中形成富镍相硅化物；执行离子注入，向富镍相硅化物中注入含有C的掺杂离子，注入的离子改变了硅化物的晶体结构使得在富镍相硅化物中固溶度较高；执行驱动退火，使得富镍相硅化物转变为镍基金属硅化物以用作源漏区，并使得镍基金属硅化物与衬底界面处形成含有C的介质层以降低肖特基势垒高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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