[发明专利]LED自对准粗化制程方法无效
| 申请号： | 201310035120.0 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103094428A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 卢昶鸣;何善良 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230011 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种LED自对准粗化制程方法，包括：完成黄光和蒸镀制程，将LED电极完成；透过氧电浆进行光刻胶灰化蚀刻，将曝光显影区域线宽变大；进行自对准粗化用的保护层蒸镀，使用低温镀膜技术进行薄膜制程蒸镀，作为后续粗化制程用的保护层；完成保护层镀膜后，进行金属和保护层的剥离和去胶；进行粗化制程，后续将保护层用氟化铵混合溶液进行蚀刻去除。本发明透过氧电浆进行光刻胶灰化蚀刻，退光阻和低温镀膜技术，将电极进行保护，不仅可以少一道黄光制程，从而降低制作成本，又可避免因黄光曝光精准度和有机物残留，造成良率的损失，提升产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | led 对准 粗化制程 方法 | ||
【主权项】：
一种LED自对准粗化制程方法，其特征在于，包括步骤如下： （1）首先完成黄光和蒸镀制程，将 LED 电极完成； （2）透过氧电浆进行光刻胶灰化蚀刻，将曝光显影区域线宽变大； （3）进行自对准粗化用的保护层蒸镀，使用低温镀膜技术进行薄膜制程蒸镀 ，作为后续粗化制程用的保护层； （4）完成保护层镀膜后，进行金属和保护层的剥离和去胶； （5）进行粗化制程，后续将保护层用氟化铵混合溶液进行蚀刻去除。
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