[发明专利]像素电极上钝化层的制作方法、液晶显示器及其制作方法无效
| 申请号： | 201310035128.7 | 申请日： | 2013-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103117249A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 阮文中;陈建荣;任思雨;于春崎;胡君文;何基强 | 申请（专利权）人： | 信利半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/31;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 516600 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种像素电极上钝化层的制作方法、液晶显示器及其制作方法。所述像素电极上钝化层的制作方法包括：在第一功率下，利用第一流量的工艺气体，在像素电极表面形成第一厚度的钝化层；在第二功率下，利用第二流量的工艺气体，在第一厚度的钝化层表面形成第二厚度的钝化层；其中，第一功率小于第二功率；第一流量小于第二流量；第一厚度小于第二厚度，从而使得第一厚度的钝化层和第二厚度的钝化层均较为致密，进而使得在钝化层内形成过孔的过程中，不会出现底切，保证了顶层电极与像素电极之间的良好电接触，解决了由于顶层ITO与像素ITO薄膜之间接触跨断，导致该TFT产品显示异常或无法显示的问题，提高TFT产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 电极 钝化 制作方法 液晶显示器 及其 | ||
【主权项】：
一种像素电极上钝化层的制作方法，其特征在于，包括：在第一功率下，利用第一流量的工艺气体，在像素电极表面形成第一厚度的钝化层；在第二功率下，利用第二流量的工艺气体，在所述第一厚度的钝化层表面形成第二厚度的钝化层；其中，所述第一功率小于第二功率；所述第一流量小于第二流量；所述第一厚度小于第二厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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