[发明专利]连接叠层结构的导电层的中间连接件的形成方法

摘要

本发明公开了一种多阶层三维叠层装置的中间连接件(interlayer connector)的形成方法，用以形成中间连接件，该中间连接件延伸至叠层结构的W个导电层；W个导电层与介电层交错叠层；使用一组M个刻蚀掩模刻蚀叠层结构，以暴露出着陆区域(landing area)于W-1个导电层；在各个刻蚀掩模m中，m为0至M-1，采用一第一刻蚀步骤、至少一个掩模削减步骤及接续于削减步骤后的一刻蚀步骤；刻蚀掩模可以覆盖N^m+1个着陆区域，且开口刻蚀区域可以覆盖N^m个着陆区域；N等于2加上削减步骤的次数；在削减的步骤中，开口刻蚀区域的尺寸迭加着陆区域的1/N；于移除的步骤的执行期间，部分的叠层结构表面可以被遮蔽，以产生没有接触开口的虚拟区域。

主权项

一种方法，使用于一电子装置，该电子装置包括一叠层结构，该叠层结构包括多个导电层，该多个导电层与多个介电层交错排列，该方法用以形成多个中间连接件，该多个中间连接件延伸至对应的该多个导电层的一部分，该方法包括：移除于该叠层结构中部分的该多个导电层及该多个介电层，以形成多个着陆区域，该多个着陆区域没有迭加该叠层结构的该多个导电层，其中W为该多个导电层的数量，移除的步骤包括：使用一组M个刻蚀掩模刻蚀该多个介电层/导电层的该叠层结构，以暴露该多个着陆区域于W‑1个导电层，该多个刻蚀掩模具有多个掩模区域及间隔的多个开口刻蚀区域，M大于或等于2，N^M少于或等于W，N为大于或等于3的整数；在该组刻蚀掩模中的各该刻蚀掩模m，其中m从0到M‑1：(a)形成该刻蚀掩模m位于一接触区域之上，该刻蚀掩模具有该多个开口刻蚀区域，该多个开口刻蚀区域位于部份该多个着陆区域之上；(b)于该刻蚀掩模m的该多个开口刻蚀区域中刻蚀N^m个导电层；(c)削减该刻蚀掩模m，以增加该多个开口刻蚀区域的尺寸，该多个开口刻蚀区域迭加多个额外的接触开口；(d)于已增加尺寸的该多个开口刻蚀区域，刻蚀N^m个该多个导电层；以及(g)若N大于3，重复N‑3次削减步骤(c)及刻蚀步骤(d)；藉此，以不同刻蚀掩模的组合暴露出该多个导电层上的该多个着陆区域。