[发明专利]沟槽隔离结构的形成方法有效
| 申请号： | 201310037646.2 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103972146A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底上形成有沟槽，衬底位于反应腔内；在沟槽的侧壁和底部形成第一氧化硅薄膜层；在反应腔内通入含硅气体，第一氧化硅薄膜层表面吸附含硅气体；在反应腔内通入含氧气体，含氧气体与所述第一氧化硅薄膜层表面吸附的含硅气体反应生成第二氧化硅薄膜层；或者，在反应腔内通入含硅气体，使含氧气体激发形成第一含氧等离子体，第一含氧等离子体与第一氧化硅薄膜层表面吸附的含硅气体反应生成第二氧化硅薄膜层；重复通入含硅气体、含氧气体、生成第二氧化硅薄膜层的步骤，直至沟槽被完全填充。该方法可以实现无间隙高深宽比沟槽填充，填充层致密度高，并避免了张力应力的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有沟槽，所述衬底位于反应腔内；在所述沟槽的侧壁和底部形成第一氧化硅薄膜层；在反应腔内通入含硅气体，所述第一氧化硅薄膜层表面吸附含硅气体；在所述反应腔内通入含氧气体，所述含氧气体与所述第一氧化硅薄膜层表面吸附的含硅气体反应生成第二氧化硅薄膜层；或者，在所述反应腔内通入含氧气体，使所述含氧气体激发形成第一含氧等离子体，所述第一含氧等离子体与所述第一氧化硅薄膜层表面吸附的含硅气体反应生成第二氧化硅薄膜层；重复所述通入含硅气体、含氧气体、生成第二氧化硅薄膜层的步骤，直至所述沟槽被完全填充。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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