[发明专利]双MOS结构的光电探测器

摘要

本发明公开了一种具有双MOS结构的光电探测器，主要解决了光电探测器的响应度与响应速度之间制约关系的问题。该光电探测器自上而下依次包括：透明的导体氧化物层（1），上二氧化硅层（2），硅本征层（3），下二氧化硅层（4），金属层（5）。硅本征区（3）上表面的两端是掺杂浓度为1×1019~7×1019cm-3的P型重掺杂区，下表面的两端是掺杂浓度为1×1019~7×1019cm-3的N型重掺杂区。P型重掺杂区的上表面淀积金属，形成欧姆接触，引出电极；N型重掺杂区的下表面淀积金属，形成欧姆接触，引出电极。本发明具有高响应速度，低功耗的特点，可以用作光互连，光通信领域的光电探测器。

主权项

一种双MOS结构的光电探测器，其特征在于自上而下依次包括透明导体氧化物层（1），上二氧化硅层（2），硅本征层（3），下二氧化硅层（4）和金属层（5），该硅本征层（3）的上表面两端是掺杂浓度为1×1019~7×1019cm‑3的P型重掺杂区，下表面的两端是掺杂浓度为1×1019~7×1019cm‑3的N型重掺杂区。P型重掺杂区的上表面淀积金属，形成欧姆接触，引出电极；N型重掺杂区的下表面淀积金属，形成欧姆接触，引出电极；所述的透明导体氧化物层（1）、上二氧化硅层（2）、硅本征层（3）和P型重掺杂区组成PMOS结构；所述的金属层（5）、下二氧化硅层（4）、硅本征层（3）和N型重掺杂区组成NMOS结构。