[发明专利]高解析相机模块的结构及制造方法无效
申请号: | 201310046186.X | 申请日: | 2013-02-05 |
公开(公告)号: | CN103715210A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 黄俊龙;杜修文;吴承昌;杨崇佑;王荣昌;杨若薇 | 申请(专利权)人: | 胜开科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是有关于一种高解析相机模块的结构及制造方法,制造方法包括下列步骤:提供具有多个影像感测芯片的影像感测晶圆;进行检测并定义每一个影像感测芯片是否为优良芯片;设置光学盖体于定义为优良芯片的影像感测芯片上,且光学盖体正对感测区又不覆盖导电接点;分割影像感测晶圆以得到独立且覆盖有光学盖体的影像感测芯片;及设置经分割的影像感测芯片的第一表面于陶瓷基板的底面。本发明可以在制造过程初期就将高解析相机模块密封以提高高解析相机模块的合格率,并有效的缩小高解析相机模块的体积。 | ||
搜索关键词: | 解析 相机 模块 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种高解析相机模块的制造方法,其特征在于其包括下列步骤:提供影像感测晶圆,该影像感测晶圆包括多个影像感测芯片,每一该影像感测芯片包括第一表面,该第一表面具有感测区及多个导电接点,所述导电接点环绕设置于该感测区外围;进行检测,其是检测每一该影像感测芯片并定义该影像感测芯片是否为优良芯片;设置光学盖体,其是将该光学盖体设置于定义为该优良芯片的该影像感测芯片的该第一表面上,使该光学盖体正对该感测区且不覆盖所述导电接点,又该光学盖体的表面大小小于该影像感测芯片的表面大小;分割该影像感测晶圆,以分别得到独立且覆盖有该光学盖体的该影像感测芯片;设置该影像感测芯片于陶瓷基板,该陶瓷基板形成有中空部位,且具有底面及顶面,该中空部位的水平范围大于该光学盖体的表面大小,经分割的该影像感测芯片的该第一表面是粘着设置于该底面且正对该中空部位,又该影像感测芯片的所述导电接点与该陶瓷基板电性连接;以及设置封装部,其是使该封装部包覆该影像感测芯片的周边及该影像感测芯片与该陶瓷基板相连处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的