[发明专利]一种高压LDMOS器件

摘要

本发明提出一种高压LDMOS器件，所述器件通过在每个降场层靠近源区引入一个与降场层相连或重合的相同导电类型半导体重掺杂区；这样就能够在漂移区中部产生一个高的电场峰值，降低了主结处高的电场峰值，优化了漂移区的表面电场分布，从而能够提高器件的反向击穿电压；还能够提高常规降场层结构的LDMOS器件降场层的掺杂浓度，从而提高了器件的最优漂移区浓度，即能够降低器件的正向导通电阻。本发明引入的半导体重掺杂区与相同导电类型半导体体接触区在工艺制备上同时完成，无需增加掩膜板和附加的工艺步骤，工艺简单，成本低廉。

主权项

一种高压LDMOS 器件，包括第一导电类型半导体衬底（1）、位于第一导电类型半导体衬底（1）上方的第二导电类型半导体漂移区（2）以及位于第二导电类型半导体漂移区（2）上方的高压LDMOS器件表面层；其中，在第二导电类型半导体漂移区（2）顶部一侧具有第二导电类型半导体漏区（10），在第二导电类型半导体漂移区（2）顶部另一侧具有第一导电类型半导体体区（6），在第一导电类型半导体体区（6）中具有第二导电类型半导体源区（11）和第一导电类型半导体体接触区（12）；所述高压LDMOS器件表面层由场氧化层（7）、栅氧化层（8）、源极金属（14）、漏极金属（15）组成，其中，漏极金属（15）与第二导电类型半导体漏区（10）接触，源极金属（14）分别与第二导电类型半导体源区（11）和第一导电类型半导体体接触区（12）接触，第一导电类型半导体体区（6）与栅氧化层（8）接触，栅氧化层（8）表面是栅极（9），第二导电类型半导体漂移区（2）分别与场氧化层（7）、栅氧化层（8）接触，其特征在于，第二导电类型半导体漂移区（2）内部还具有n个与场氧化层（7）相接触的第一导电类型半导体降场层（3），在每个第一导电类型半导体降场层（3）靠近第二导电类型半导体源区（11）一侧具有与降场层（3）相连或重合的第一导电类型半导体重掺杂区（13）；n为大于0的自然数。