[发明专利]一种镁基薄膜结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201310049319.9 | 申请日： | 2013-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103985849A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 辛恭标;杨鋆智;付赫;郑捷;李星国 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01M4/46 | 分类号： | H01M4/46;C23C14/16;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种镁基薄膜结构及其制备方法。本发明通过磁控溅射法在基底上溅射一层镁层，然后在该镁层上溅射一层钛夹层，形成镁层与钛夹层相互交替的薄膜结构，最后在最上层的表面溅射一层钯覆盖层。结果表明：与没有添加钛夹层的样品相比，添加了钛夹层的样品具有更快的吸放氢动力学行为和更优良的吸放氢循环性质。此外，钛夹层的添加也很大的提高了镁基薄膜样品的电化学放氢容量，使镁基薄膜用于镍氢电池的负极材料成为可能。本方法具有设备简单，成本低，效果显著等优点，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种镁基薄膜结构，其特征在于，包括至少一层镁层、至少一层钛夹层，以及一层钯覆盖层，其中一层镁层位于最底层，镁层与钛夹层交替排列，钯覆盖层位于最上层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310049319.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种管道装配结构
- 下一篇：一种链式刀库的精确定位装置
