[发明专利]异质结电池及其制作方法无效

专利信息
申请号: 201310050944.5 申请日: 2013-02-17
公开(公告)号: CN103151398A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 陈剑辉;李锋;沈燕龙;赵文超;李高非;胡志岩;熊景峰;宋登元 申请(专利权)人: 英利集团有限公司
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/052;H01L31/072;H01L31/18
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 071051 *** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明提供了一种异质结电池及其制作方法,该电池包括衬底;位于衬底下表面的钝化掺杂层和导电层,钝化掺杂层和导电层的第一交界面为平面或平缓圆滑的曲面,以使穿过衬底到达第一交界面的光子反射回衬底内部。本发明通过平坦化衬底的下表面,使在衬底下表面形成的钝化掺杂层和导电层的表面较为平坦,该交界面能够将从电池上表面入射到达该交界面的光子反射回衬底内,避免了光能的损失,提高了光电转换效率;此外,在衬底下表面形成的钝化掺杂层和导电层的表面较平坦,从而使电池的下表面载流子的复合减小,且经过平坦化的衬底下表面为各膜层提供了良好的形成基础,使各膜层的质量提高,进而提高了电池的光电转换效率。
搜索关键词: 异质结 电池 及其 制作方法
【主权项】:
一种异质结电池,其特征在于,包括:衬底;位于所述衬底下表面的钝化掺杂层和位于所述钝化掺杂层下表面的导电层,所述钝化掺杂层和所述导电层的交界面为第一交界面,所述第一交界面为平面或平缓圆滑的曲面,以使穿过所述衬底到达所述第一交界面的光子经所述第一交界面的反射,回到所述衬底内部。
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