[发明专利]一种减少铝衬垫表面缺陷的方法

摘要

本发明公开了一种减少铝衬垫表面缺陷的方法，将铝衬垫分为两层来分别沉积，第一层铝沉积在低温下用增大靶材直流电功率的方法生长薄的一层铝层，第二层铝沉积在高温下生长。较低的反应温度使得第一铝层的晶粒较小，表面平整，表面介质层也得到了有效的控制，在后续的金属线图形形成过程中容易被蚀刻掉；同时，在低温生长铝层时加大了靶材直流电功率，溅射出来的铝离子具有较大的动能，从而实现了很好的钝化层台阶覆盖能力，在高温环境下生长第二铝层时，由于有了冷却缓冲时间，晶圆表面温度会下降，而且下层第一铝层介质表面平整，从而容易释放应力，减少了须状缺陷。

主权项

一种减少铝衬垫表面缺陷的方法，应用于一具有半导体结构的衬底上，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将所述衬底置入一第一反应腔中，同时启动设置在第一反应腔中的第一加热装置；步骤2：向所述第一反应腔内通入气体，进行第一层铝沉积工艺，于所述衬底的上表面制备第一铝层；步骤3：将所述上表面制备有第一铝层的衬底移入第二反应腔中，同时启动设置在第二反应腔内的第二加热装置；步骤4：向所述第二反应腔内通入气体，进行第二层铝沉积工艺，于所述衬底的上表面制备第二铝层；其中，所述第一铝层和所述第二铝层构成一铝衬垫。