[发明专利]一种在有机电子器件薄膜封装过程中保护电极的方法有效
申请号: | 201310055950.X | 申请日: | 2013-02-21 |
公开(公告)号: | CN103094479A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 段羽;杨丹;陈平;杨永强;臧春亮;谢月 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 张景林;刘喜生 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于有机电子器件领域,具体涉及一种在有机电子器件薄膜封装过程中保护接触电极的方法,通过该方法可以有效避免器件电极被封装薄膜覆盖从而导致器件电极接触失效的现象。该保护膜为硅片保护膜等,采用双层构架形式,基底层使用双轴拉伸聚氯乙烯,胶黏层由经过处理的丙烯酸酯乳胶构成。在有机电子器件封装后保护膜可以被轻易撕除而无胶黏剂残留。可以有效的保证接触电极的导电性不发生任何改变。其具有粘性低且与金属、玻璃、硅、PET、PES等基材密和性优异的特点,因此前驱体材料无法从空隙中渗透,作为电极的保护层是有效的。保护膜起到阻隔ALD封装材料的作用,且能使器件经受住ALD封装温度。 | ||
搜索关键词: | 一种 有机 电子器件 薄膜 封装 过程 保护 电极 方法 | ||
【主权项】:
一种在有机电子器件封装过程中保护接触电极的方法,其步骤如下:1)选用带有ITO导电膜的玻璃作为衬底,采用光刻胶掩膜然后刻蚀的方法,在玻璃衬底上制备工字形ITO阳极,裸露出的玻璃衬底被工字形ITO阳极分为左右对称的结构;2)在工字形ITO阳极上和裸露的玻璃衬底上制备有机电子器件的功能层,以沿着工字形ITO阳极粱的方向为长度方向,以垂直于粱的方向为宽度方向,功能层的宽度略大于工字形ITO阳极的粱的宽度,功能层的长度小于工字形ITO阳极梁的长度;3)在功能层和裸露的玻璃衬底上制备长方形的金属阴极,金属阴极的宽度与玻璃衬底相同,金属阴极的长度小于功能层的长度,即金属阴极的中间区域覆盖在功能层上,而被功能层分开的两端区域则覆盖在裸露的玻璃衬底上,金属阴极不与工字形ITO阳极接触,从而制备得到有机电子器件;4)将两条带有胶黏层的长方形保护膜沿长度方向贴在有机电子器件两侧的工字形ITO阳极、裸露的玻璃衬底和金属阴极上;5)将贴有保护膜的有机电子器件进行薄膜封装;6)封装结束后揭下保护膜,有机电子器件两侧的工字形ITO阳极和金属阴极完全露出,从而实现了在有机电子器件薄膜封装过程中对电极的保护。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林大学,未经吉林大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310055950.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择