[发明专利]半导体结构无效
| 申请号： | 201310059000.4 | 申请日： | 2013-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN103681554A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 廖宗仁 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 郝文博 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一半导体结构，包含了一半导体基材、一位于半导体基材上的金属层、一导电柱以及一焊球。导电柱形成于所述金属层上并与其电连接，其中导电柱具有一承载面与位于承载面下方的一水平截面，且承载面与外部接触的表面积大于水平截面面积。焊球位于导电柱上并覆盖承载面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一半导体结构，其中该结构包含：一半导体基材；位于该半导体基材上的一金属层；一导电柱形成于该金属层上并与该金属层电连接，其中该导电柱具有一承载面与位于该承载面下方的一水平截面，该承载面与外部接触的表面积大于该水平截面面积；以及一焊球位于该导电柱上并覆盖该承载面。
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