[发明专利]一种复合精炼剂去除冶金级硅中杂质硼的方法有效

专利信息
申请号: 201310059197.1 申请日: 2013-02-26
公开(公告)号: CN103058201A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 伍继君;马文会;贾斌杰;谢克强;魏奎先;周阳;杨斌;刘大春;戴永年 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明提供一种复合精炼剂去除冶金级硅中杂质硼的方法,以冶金级硅为原料,将其粉碎研磨至粒度为150~200目,在将配制好的精炼剂与硅粉按质量比1:1~3:1充分混合,在压片机中压制成圆柱状并装入石墨坩埚中,在通有10~20L/min氩气保护的高频感应炉中进行精炼,在1420~1650℃的温度范围内保温0.5~4h后缓慢降温,即可得到精炼后的硅样品。本方法不仅利用了SiO2的氧化性,同时,FeCl2与杂质硼生成气态硼化物,精炼剂中的FeCl2和SiO2同时起到了除硼的作用,可以使冶金级硅中硼的去除效率提高到97%以上,显著的降低冶金级硅中的硼含量,本方法操作简单,实用性强。
搜索关键词: 一种 复合 精炼 去除 冶金 级硅中 杂质 方法
【主权项】:
一种复合精炼剂去除冶金级硅中杂质硼的方法,其特征在于经过下列各步骤:(1)将硼含量为10~30ppmw的块状冶金级硅破碎至粒度为150~200目的粉末,再将精炼剂与冶金级硅粉按1:1~3:1的比例充分均匀,并将混合后的物料压成圆柱片状;(2)将步骤(1)所得圆柱片状通入流量为10~20L/min的氩气保护,并采用50℃/min升温到1420~1650℃后,保温0.5~4h后,再以20℃/min降温至室温,然后关闭氩气,取出样品;(3)去除头尾杂质富集部分,即得到去除杂质硼的硅。
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