[发明专利]能够挽救封装后出现的缺陷特性的半导体器件无效
| 申请号： | 201310060187.X | 申请日： | 2013-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN103295640A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 金正谦;玄锡勋;崔桢焕;张星珍 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 蔡军红 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种能够挽救封装之后出现的缺陷特性的存储器件包括：包括多个存储单元的存储单元阵列和包括至少一个反熔丝的反熔丝电路单元。反熔丝电路单元在所述至少一个反熔丝中存储存储单元阵列的缺陷单元地址，并将该缺陷单元地址读到外部源。反熔丝电路单元在所述至少一个反熔丝中存储缺陷特性码，其中缺陷特性码与该存储器件的时间参数配置、刷新配置、输入/输出（I/O）触发电压配置和数据训练配置的至少一者有关，并向外部源输出该缺陷特性码。 | ||
| 搜索关键词： | 能够 挽救 封装 出现 缺陷 特性 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种存储器件，包括：包括多个存储单元的存储单元阵列；及包括至少一个反熔丝的反熔丝电路单元，在所述至少一个反熔丝中存储存储单元阵列的缺陷单元地址，并向外部源输出该缺陷单元地址。
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