[发明专利]半导体器件及显示装置在审
| 申请号： | 201310061605.7 | 申请日： | 2013-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN104009031A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 谢文献;林崑宗 | 申请（专利权）人： | 天钰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 徐丽昕 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及显示装置。该半导体器件包括P型衬底、数字电路模块及模拟电路模块。该数字电路模块接收并处理数字信号，其包括深掺杂N阱、第一P型半导体元件、第一N型半导体元件及P阱，该深掺杂N阱设置于该P型衬底上，该第一P型半导体元件及P阱分别设置于该深掺杂N阱上，该第一N型半导体元件设置于该P阱上。该模拟电路模块接收该数字电路输出的数字信号并输出模拟信号，其包括第二P型半导体元件、第二N型半导体元件及N阱，该第二N型半导体元件及N阱分别设置于该P型衬底上，该第二P型半导体元件设置于该N阱上。该半导体器件及显示装置可靠度较高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 显示装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其包括：P型衬底、数字电路模块及模拟电路模块，其特征在于：该数字电路模块接收并处理数字信号，该数字电路模块包括深掺杂N阱、第一P型半导体元件、第一N型半导体元件及P阱，该深掺杂N阱设置于该P型衬底上，该第一P型半导体元件及P阱分别设置于该深掺杂N阱上，该第一N型半导体元件设置于该P阱上，该模拟电路模块接收该数字电路输出的数字信号并输出模拟信号，该模拟电路模块包括第二P型半导体元件、第二N型半导体元件及N阱，该第二N型半导体元件及N阱分别设置于该P型衬底上，该第二P型半导体元件设置于该N阱上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天钰科技股份有限公司，未经天钰科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310061605.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：治疗烫、火伤的二黄寄生药膏
- 下一篇：结构用芯材
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
