[发明专利]低功耗半导体存储器的制作方法

摘要

本发明提供一种低功耗半导体存储器的制作方法，包括提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成第一掺杂层、第二掺杂层以及介电保护层；部分刻蚀介电保护层、第二掺杂层与第一掺杂层，第二掺杂层与第一掺杂层形成栅极结构；在栅极结构的两侧形成间隙壁结构，在所述栅极结构两侧的有源区中形成源区与漏区；在所述半导体衬底上形成第一层间介电层，刻蚀所述第一层间介电层；图形化所述介电保护层；在所述栅极结构的第一开口与第二开口中依次填充介电隔离材料与栅极导电材料，在所述第一开口中形成第一控制电极，在所述第二开口中形成第二控制电极。本发明的低功耗半导体存储器的制作方法，降低了存储器的最小开启电压，提高了器件的开关速度。

主权项

一种低功耗半导体存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有具有第一导电类型的有源区，以及所述有源区外的介电隔离区；在所述半导体衬底上依次形成具有第一导电类型的第一掺杂层、具有第二导电类型的第二掺杂层以及介电保护层；部分刻蚀所述介电保护层、第二掺杂层与第一掺杂层，有源区与介电隔离区上残留的第二掺杂层与第一掺杂层形成栅极结构；在所述栅极结构的两侧形成间隙壁结构，在所述栅极结构两侧的有源区中形成源区与漏区；在所述半导体衬底上形成第一层间介电层，刻蚀所述第一层间介电层，直至露出介电保护层的表面；图形化所述介电保护层，以所述图形化的介电保护层为掩膜，刻蚀所述栅极结构直至露出有源区与介电隔离区表面，形成位于栅极结构两端的第一开口与第二开口，所述第一开口或第二开口至少部分位于有源区上，所述第一开口与第二开口间的第一掺杂层与第二掺杂层分别作为垂直隧穿场效应管的第二导电区与第一导电区；在所述栅极结构的第一开口与第二开口中依次填充介电隔离材料与栅极导电材料，在所述第一开口中形成第一控制电极，在所述第二开口中形成第二控制电极。