[发明专利]与FINFET工艺相兼容的二极管结构

摘要

本发明涉及一种实施例集成电路(如，二极管)及其制造方法。实施例集成电路包括形成在具有第一掺杂类型的衬底的上方的具有第一掺杂类型的阱，该阱包括鳍、形成在鳍的第一侧的阱的上方的源极、形成在鳍的第二侧的阱的上方的漏极、以及形成在鳍的上方的栅氧化物，其中，源极具有第二掺杂类型、漏极具有第一掺杂类型、以及鳍的回退区将栅氧化物和源极横向分隔开。集成电路与FinFET制造工艺相兼容。

主权项

一种集成电路，包括：阱，具有第一掺杂类型，形成在具有所述第一掺杂类型的衬底的上方，所述阱包括鳍；源极，形成在所述阱的上方，位于所述鳍的第一侧，所述源极具有第二掺杂类型；漏极，形成在所述阱的上方，位于所述鳍的第二侧，所述漏极具有所述第一掺杂类型；以及栅氧化物，形成在所述鳍的上方，所述鳍的回退区将所述栅氧化物与所述源极横向分隔开。